1. 块体样品要求平整，干净，导电性好，尺寸必须大于5*5mm-小于10*10mm左右，厚度小于2mm；粉末样品优先选择旋涂法，基材材质为ITO、FTO、单晶硅片等半导体材料，且表面导电性连续，不能使用刻蚀后基材制样，尺寸必须大于5*5mm-小于等于10*10mm左右，厚度小于2mm，薄膜尽可能做的较薄，涂完膜干燥后能看到薄薄一层样品即可。

2.粉体样品需要制备为薄膜，参考制备方法及要求如下：先把粉末（粉末颗粒直径最好在1万目以下）样品分散在水或乙醇里（浓度尽量低点），旋涂滴在ITO上烘干，可以多循环几次，一定要保证膜表面尽量平整、均匀、连续、整洁，ITO尺寸必须大于5*5mm-小于10*10mm左右，涂完膜干燥后膜层以完全覆盖住ITO即可（膜层厚度10-50nm即可），膜层的电阻最好小于10千欧，最大不能超过30千欧。